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最近的实验显示，面取得了有希望的结果，证明了该抗蚀剂在未来 EUV 光刻应用中的潜力。 EUV 颗粒碳纳米管 EUV 颗粒在光刻过程中至关重要，可保护照相掩模免受污染。对碳纳米管的研究促使人们寻找能够承受高功率 EUV 扫描仪恶劣条件的材料。 这些材料由于其强大的机械和热性能而具有非常积极的作用，这对于维持扫描仪设备内部的高真空和通风环境是必需的。 其独特的结构提供了必要的耐用性和承受高能暴露而不退化的能力，确保光掩模的完整性在芯片制造过程中保持完整。


碳纳米管颗粒的持续发展预计将在 EUV 光刻技术的进步中发挥关键作用。 极紫外光刻 (EUV)最新消息 英特尔从 ASML 收购高级 EUV 扫描仪 英特尔最近从 ASML 购买了第一台高数值孔径 EUV 光刻扫描仪，称为 Twinscan EXE:5000。该工 购买马约特岛电子邮件地址 具旨在生产采用 3nm 规模以上工艺技术的芯片，业界计划在 2025 年至 2026 年左右采用。 高数值孔径 EUV 技术采用 0.55 数值孔径透镜，可实现 8 纳米分辨率，比现有 EUV 仪器当前提供的 13 纳米分辨率有所提高。




这一进步意味着芯片制造商可以在 EUV 中使用双重图案化，从而简化制造工艺，同时提高产量并降低成本。 英特尔计划于 2024 年开始使用这些用于未来工艺节点的高级 NA 工具来开发其 18A 节点（1.8 纳米级）。早期采用高级 NA 工具可以使英特尔在制定高级 NA 制造行业标准方面具有竞争优势（Anandtech，2024）。 此外，ASML还宣布，到2027年至2028年，将能够每年生产20个先进的NA EUV光刻工具，这表明其他行业合作伙伴正准备在未来几年采用这些先进的系统，其中英特尔处于领先地位。